Академик осипьян. Юрий Андреевич Осипьян

Юрий Андреевич Осипьян

1931 -2008 гг.

Академик Юрий Андреевич Осипьян – выдающийся ученый и организатор отечественной науки, привнесший неоценимый вклад в развитие физики конденсированного состояния вещества, физику прочности и пластичности твердых тел. Академик Осипьян является основатель Института физики твердого тела РАН, в течение многих лет он был членом Президиума Российской Академии наук и АН СССР, председателем и членом Президиума научного центра РАН в Черноголовке, советником Президента СССР.

Юрий Андреевич Осипьян родился 15 февраля 1931 года в Москве. В 1955 году он окончил Московский институт стали и сплавов по специальности «инженер-металлург» и начал научную работу в Институте металловедения и физики металлов Центрального научно-исследовательского института черной металлургии. Параллельно он получил дополнительное теоретическое образование на мехмате МГУ им. М.В.Ломоносова. В 1962 году под руководством академика Г.В.Курдюмова он защитил кандидатскую диссертацию. Выдающиеся таланты Юрия Андреевича, ученого и организатора, проявились при организации, становлении и развитии Института физики твердого тела. С 1962 г. по 1963 г. Ю.А.Осипьян являлся заместителем директора по научной работе Института кристаллографии АН СССР, с 1963 г. по 1973 г. - заместителем директора по научной работе и с 1973 г. до 2002 г. - директором Института физики твердого тела АН СССР. В 2002 г. академик Ю.А.Осипьян стал научным руководителем Института физики твердого тела РАН.

Свой талант выдающегося ученого Юрий Андреевич отдал физике твердого тела. Им опубликованы более 200 научных работ, посвященных теории фазовых превращений, физике прочности, физике электрических и магнитных явлений, физике полупроводников, оптике и т.д. В начале 60-х годов Ю. А. Осипьян начал проводить пионерские экспериментальные исследования, связанные с изучением взаимодействия электронов с протяженными дефектами в кристаллах. В этот период он открыл неожиданное и интересное явление, известное в настоящее время в научной литературе как фотопластический эффект . Ю. А. Осипьян совместно с учениками обнаружил электропластический эффект и наличие заряда на дислокациях в полупроводниках А2В6, существование кластеров «оборванных» валентных связей в ядрах дислокаций в кремнии, электронный спиновый резонанс и спин-зависимую рекомбинацию на дислокациях. Изящные эксперименты по высокочастотной проводимости привели к обнаружению квази-одномерных электронных зон, связанных с дислокациями и комбинированного резонанса электронов на дислокациях в кремнии. Было установлено влияние магнитного поля на пластическую деформацию сверхпроводников и было показано, что состояние электронной системы сильно влияет на пластическую деформацию, т.е. на движение дислокаций через исследуемый кристалл, и, в свою очередь, введение дислокаций приводит к изменению свойств электронной системы в пластически деформированных кристаллах. Из первых экспериментов по электронному парамагнитному резонансу на оборванных связях в настоящее время развился мощный метод диагностики полупроводников - ЭПР спектроскопия дефектов в полупроводниках.

Все эти работы послужили становлению новой, успешно развивающейся области физики - физики дислокаций в полупроводниковых кристаллах. Вклад Ю. А. Осипьяна и созданной им научной школы в развитии этого направления физики твердого тела получили широкое международное признание, а российская наука в области дислокационной физики твердого тела заняла ведущее положение. В 1972 г. Юрий Андреевич был избран членом-корреспондентом Академии наук СССР и в 1981 г. академиком АН СССР. За исследования в области физики дислокаций в 1984 году Ю. А. Осипьян был награжден Академией наук СССР одной из высших наград по физике - Золотой медалью им. П. Н. Лебедева. Позже он был награжден Международной премией и Золотой медалью им. А. П. Карпинского.

Блистательный талант научного руководителя Ю.А. Осипьян продемонстрировал, создав и возглавив Государственную программу СССР по высокотемпературной сверхпроводимости. По его предложению в ИФТТ РАН был проведен ряд исследований структурных и физических свойств кристаллов высокотемпературных сверхпроводников, в частности, изучена структура магнитного потока в сверхпроводнике, анизотропия проводимости. Проведенные под его руководством исследования быстро завоевали авторитет и международное признание в этой актуальной области физики. Неоценим вклад Юрия Андреевича в организацию научных исследований в масштабах нашей страны, который он осуществлял, находясь на различных высоких постах в структуре Президиума РАН.

Делом всей его жизни стала организация и становление Института физики твердого тела РАН, подбор и воспитание научных кадров, обеспечение и поддержание высокого научного уровня ведущихся в нем исследований. В настоящее время ИФТТ РАН представляет собой одно из крупнейших академических учреждений физического профиля в России, является признанным научным центром, где проводится широкий круг исследований в области физики конденсированного состояния и физического материаловедения.

Юрий Андреевич Осипьян был прекрасным педагогом и воспитателем научных кадров. По его инициативе в Черноголовке при ИФТТ РАН были созданы кафедра физики твердого тела Московского физико-технического института и филиал кафедры физической химии Московского института стали и сплавов. На протяжении многих лет он читал лекции студентам и аспирантам. До самых последних дней своей жизни заведовал кафедрой физики твердого тела МФТИ. Под руководством Ю.А.Осипьяна защитили диссертации десятки будущих крупных российских ученых. Позже по инициативе Юрия Андреевича был создан физико-химический факультет Московского Государственного университета, который сейчас успешно работает, набирает силы и авторитет.

Заслуги Юрия Андреевича получили широкое международное признание. Он являлся иностранным членом национальных академий Болгарии, Венгрии, Польши, Чехии, членом Национальной инженерной академии США, Международной академии астронавтики, он успешно возглавлял Международный Союз в области чистой и прикладной физики (IUPAP). Заслуги Ю.А.Осипьяна нашли отражение и в высших правительственных наградах. В 1986 году он получил почетное звание Героя Социалистического труда, в 1999 году был награжден орденом «За заслуги перед отечеством II степени». В 2005 году Ю.А.Осипьн награжден высшей наградой Российской академии наук Большой золотой медалью Российской академии наук им. М.В.Ломоносова 2005 года за фундаментальный вклад в физику дислокаций в твердых телах и открытие фотопластического эффекта.

Юрий Андреевич Осипьян (1931-2008) - советский, российский физик, академик Российской академии наук, советник РАН, доктор физико-математических наук. Иностранный член Болгарской АН (1989).

Биография

• Вице-президент АН СССР (1988-1991), вице-президент РАН (1991-2001), Председатель Совета директоров Ногинского научного центра РАН.
• Член Президентского Совета СССР (1990)
• Директор (с 2002 года научный руководитель) Института физики твёрдого тела РАН
• Заведующий кафедрой физики твёрдого тела факультета общей и прикладной физики МФТИ (1964-)
• Заведующий кафедрой физики конденсированного состояния физического факультета МГУ им. М. В. Ломоносова
• Народный депутат СССР (1989-1991)
• Декан физико-химического факультета МГУ им. М. В. Ломоносова (2006-2008)
• Был первым вице-президентом Международного союза теоретической и прикладной физики.
• Был главным редактором журнала «Поверхность: физика, химия, механика», членом редколлегии журнала «Кристаллография», председателем редакционной коллегии библиотечки «Квант» (издательство «Наука»)

Автор (совместно с Ириной Борисовной Савченко) научного открытия "Фотопластический эффект", которое занесено в Государственный реестр открытий СССР под № 93 с приоритетом от 21 декабря 1967 г. в следующей формулировке: "Установлено ранее неизвестное явление, заключающееся в изменении сопротивления пластической деформации кристаллов полупроводников под действием света, причем максимальное изменение происходит при длинах волн, соответствующих краю собственного поглощения кристаллов".

Юрий Андреевич Осипьян скончался 10 сентября 2008 года в Москве. Похоронен на Макаровском кладбище.

Награды

• Герой Социалистического Труда (1986 г.)
• Орден «За заслуги перед Отечеством» II степени (1999 г.)
• Орден Ленина (1981, 1986 гг.)
• Орден Трудового Красного Знамени (1971, 1975 гг.)
• Большая золотая медаль имени М. В. Ломоносова, 2005 - за фундаментальный вклад в физику дислокаций в твёрдых телах и открытие фотопластического эффекта
• Золотая медаль РАН им. П. Н. Лебедева, 1984 г. - за цикл работ «Исследование влияния света на пластическую деформацию кристаллов и открытие фотопластического эффекта»
• Орден Симона Боливара (Колумбия), 1990 г.
• Орден Почётного легиона (Франция), 1990 г.
• Премия имени Карпинского (ФРГ), 1991 г.

Известный российский ученый, физик Юрий Осипьян скончался в ночь на среду в Москве на 78-ом году жизни, сообщили РИА Новости в пресс-службе Российской академии наук.

Юрий Андреевич Осипьян родился 15 февраля 1931 года в Москве. В 1955 году он окончил физико‑химический факультет Московского института стали и сплавов и в том же году поступил в Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова на механико‑математический факультет, который окончил в 1960 году. Параллельно Юрий Осипьян занимался научной работой: в 1955‑1960 годах работал младшим, затем старшим научным сотрудником Всесоюзного Научно‑исследовательского института черной металлургии.

В 1962 ‑ 1963 годах он занимал должность заместителя директора по научной работе Института кристаллографии АН СССР.

В начале 1960‑х годов Юрий Осипьян занимался изучением взаимодействия электронов с протяженными дефектами в кристаллах и совершил открытие, которое получило название "фотопластический эффект". Его работы способствовали становлению и успешному развитию нового направления ‑ физики дислокаций в полупроводниковых кристаллах.

Осипьян был одним из основателей Института физики твердого тела (ИФТТ) в поселке Черноголовка Московской области. С 1963 года он работал в ИФТТ РАН в должности заместителя директора, с 1973 года ‑ директора института.

В 1968 году Юрий Осипьян защитил докторскую диссертацию; в 1972 году стал членом ‑ корреспондентом РАН; в 1981 году - академиком. Был профессором Московского физико‑технического института.

В середине 1980‑х годов по его инициативе и под его руководством в ИФТТ была разработана и осуществлена государственная программа по проблемам высокотемпературной сверхпроводимости. Он первым в стране ввел конкурсную систему научных проектов, что изменило управление наукой в целом.

В 1990 ‑ 1994 годах он был президентом Международного союза чистой и прикладной физики (IUРАР), в 1988 ‑ 1991 годах ‑ вице‑президентом Академии наук СССР, с 1991 по 2001 год ‑ вице‑президентом РАН, с 2001 года был советником президиума РАН.

На протяжении многих лет он являлся председателем президиума Научного центра РАН в г. Черноголовка (до 1998 года ‑ Ногинский научный центр РАН). Был членом национальных академий наук Болгарии, Венгрии, Польши, Чехии, США. Членом Международной академии астронавтики.

Осипьян возглавлял ряд общественных и научных организаций. Являлся председателем Научного совета по физике твердого тела РАН, Комитета российских ученых за разоружение, Национального комитета российских кристаллографов. Кроме того, он был избран членом Международного комитета СОSPAR и членом Совета Европейского физического общества.

С 1988 года Юрий Осипьян был президентом общества "Россия ‑ Германия", а также членом Российского (до 1992 года ‑ Советского) Пагуошского комитета; в 2001 году он был утвержден членом Президиума Комитета.

В числе его наград два ордена Трудового Красного Знамени (1971 и 1975), два ордена Ленина (1981 и 1986), орден "За заслуги перед Отечеством" II степени (1999). В 1984 году Юрию Осипьяну была вручена одна из высших наград по физике ‑ золотая медаль РАН им. П.Н. Лебедева.

Заслуги ученого отмечены и на международном уровне: в 1988 году ‑ премией и золотой медалью им. А.П. Карпинского (ФРГ), в 1990 году ‑ орденом Симона Боливара (Колумбия).

В 2006 году академику Юрию Осипьяну была присуждена высшая награда Российской академии наук ‑ Большая золотая медаль им. М.В. Ломоносова.

Материал подготовлен на основе информации РИА Новости и открытых источников